US1MHE3/61T 全国供应商、价格、PDF资料

US1MHE3/61T详细规格

类别：单二极管/整流器

描述：DIODE 1A 1000V 75NS UF SMD

系列：-

制造商：Vishay General Semiconductor

二极管类型：标准

电压_333Vr444（最大）：1000V（1kV）

电流_平均整流333Io444：1A

电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.7V @ 1A

速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间333trr444：75ns

电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1000V

电容0a0VrwwwwF：10pF @ 4V，1MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DO-214AC，SMA

供应商设备封装：DO-214AC（SMA）

包装：带卷 (TR)

US1MHE3/61T详细规格

类别：单二极管/整流器

描述：DIODE 1A 1000V 75NS UF SMD

系列：-

制造商：Vishay General Semiconductor

二极管类型：标准

电压_333Vr444（最大）：1000V（1kV）

电流_平均整流333Io444：1A

电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.7V @ 1A

速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间333trr444：75ns

电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1000V

电容0a0VrwwwwF：10pF @ 4V，1MHz

安装类型：*

封装/外壳：*

供应商设备封装：*

包装：*

US1MHE3/61T详细规格

类别：单二极管/整流器

描述：DIODE 1A 1000V 75NS UF SMD

系列：-

制造商：Vishay General Semiconductor

二极管类型：标准

电压_333Vr444（最大）：1000V（1kV）

电流_平均整流333Io444：1A

电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.7V @ 1A

速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间333trr444：75ns

电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1000V

电容0a0VrwwwwF：10pF @ 4V，1MHz

安装类型：*

封装/外壳：*

供应商设备封装：*

包装：*