URS1E100MDD 全国供应商、价格、PDF资料
URS1E100MDD详细规格
- 类别：电容器
- 描述：CAP ALUM 10UF 25V 20% RADIAL
- 系列：RS
- 制造商：Nichicon
- 电容：10µF
- 额定电压：25V
- 容差：±20%
- 寿命0a0温度：85°C 时为 2000 小时
- 工作温度：-40°C ~ 85°C
- 特点：通用
- 纹波电流：50mA
- ESR（等效串联电阻）：-
- 阻抗：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：径向，Can
- 尺寸/尺寸：0.197" 直径（5.00mm）
- 高度_座高（最大）：0.413"（10.50mm）
- 引线间隔：0.079"（2.00mm）
- 表面贴装占地面积：-
- 包装：散装
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.87K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 其它 B&B Electronics - CONVERTER USB TO RS-422/485
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 4700UF 10V 20% RADIAL
- FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 6800UF 10V 20% RADIAL
- FET - 阵列 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP-8
- FET - 单 Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
- 通孔电阻器 Riedon 径向 RES 120 OHM .6W .01% FOIL RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 806K OHM 1/3W 0.1% 1210
- FET - 阵列 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOP
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 100UF 50V 20% RADIAL
- FET - 阵列 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
- 通孔电阻器 Riedon 径向 RES 15K OHM .6W .01% FOIL RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.26K OHM 1/2W 0.1% 2512
0755-83223003 
0755-22655674 
0755-23915992 
171-4729-0036 
15026993318 / 
010-62962871、 
010-62962871、 
13910052844（微 
