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UPD44647366AF5-E22-FQ1详细规格: 类别：存储器; 描述：SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步，QDR II+; 存储容量：72M（2M x 36）; 速度：450MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：165-LBGA; 供应商器件封装：165-PBGA（13x15）; 包装：散装

UPD44647366AF5-E22-FQ1-A详细规格: 类别：存储器; 描述：SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步，QDR II+; 存储容量：72M（2M x 36）; 速度：450MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：165-LBGA; 供应商器件封装：165-PBGA（13x15）; 包装：散装

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T495C476K016ZTE300
钽 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 47UF 16V 10% 2312
TMOV20R250M
TVS - 变阻器，MOV Littelfuse Inc 盘 20mm，3 引线 VARISTOR THRML INDCT 250V 20MM
UPD2425F-10
固态 Crydom Co. 模块 SSR SPST-NO 240VAC 25A PHASE
UP050B223K-KFCZ
陶瓷 Taiyo Yuden 轴向 CAP CER 0.022UF 50V 10% AXIAL
P51-75-G-AA-MD-5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 75PSI 7/16-20UNF 1-5V
UPD44646363AF5-E25-FQ1
存储器 Renesas Electronics America 165-LBGA SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA
T495C685M025ATE500
钽 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 6.8UF 25V 20% 2312
TNPU08057K68AZEN00
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 7.68K OHM 0.05% 0805 SMD
TMOV20R510M
TVS - 变阻器，MOV Littelfuse Inc 盘 20mm，3 引线 VARISTOR THERMAL 550V 10KA 20MM
P51-75-G-AA-P-4.5OVP-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 75PSI 7/16-20UNF .5-4.5V
T495C686K006ZTE400
钽 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 68UF 6.3V 10% 2312
UPD5713TK-EVAL
过时/停产零件编号 CEL 6-SMD，扁平引线 EVAL BOARD FOR UPD5713TK
TNPU08058K20BZEN00
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 8.20K OHM 1/8W 0.1% 0805
TMOV20R750M
TVS - 变阻器，MOV Littelfuse Inc 盘 20mm，3 引线 VARISTOR THERMAL 750V 10KA 20MM
UP050B272K-NACZ
陶瓷 Taiyo Yuden 轴向 CAP CER 2700PF 50V 10% AXIAL