UNR51A2G0L 全国供应商、价格、PDF资料

UNR51A2G0L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS PNP W/RES 60HFE S-MINI 3P

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：80mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：22k

电阻器_发射极333R2444（欧）：22k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：80MHz

功率_最大：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-85

供应商设备封装：S迷你型3-F2

包装：剪切带 (CT)

UNR51A2G0L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS PNP W/RES 60HFE S-MINI 3P

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：80mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：22k

电阻器_发射极333R2444（欧）：22k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：80MHz

功率_最大：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-85

供应商设备封装：S迷你型3-F2

包装：带卷 (TR)

UNR51A2G0L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS PNP W/RES 60HFE S-MINI 3P

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：80mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：22k

电阻器_发射极333R2444（欧）：22k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：80MHz

功率_最大：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-85

供应商设备封装：S迷你型3-F2

包装：Digi-Reel®