UNR41160RA 全国供应商、价格、PDF资料

UNR41160RA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS PNP W/RES 210HFE NS-B1

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：80MHz

功率_最大：300mW

安装类型：通孔

封装/外壳：NS-B1

供应商设备封装：NS-B1

包装：带盒（TB）

UNR41160RA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS PNP W/RES 210HFE NS-B1

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：80MHz

功率_最大：300mW

安装类型：通孔

封装/外壳：NS-B1

供应商设备封装：NS-B1

包装：剪切带 (CT)