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TPH4R606NH,L1Q 全国供应商、价格、PDF资料

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TPH4R606NH,L1Q详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 16A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 500µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：3965pF @ 30V
功率_最大：63W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商设备封装：8-SOP 高级
包装：带卷 (TR)

TPH4R606NH,L1Q详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 16A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 500µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：3965pF @ 30V
功率_最大：63W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商设备封装：8-SOP 高级
包装：Digi-Reel®

TPH4R606NH,L1Q详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 16A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 500µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：3965pF @ 30V
功率_最大：63W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商设备封装：8-SOP 高级
包装：剪切带 (CT)

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