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TPCS8209(TE12L,Q) 全国供应商、价格、PDF资料

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TPCS8209(TE12L,Q)详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET NCH 20V 5A 8-TSSOP
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 4A，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 10V
功率_最大：600mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-TSSOP
包装：带卷 (TR)

TPCS8209(TE12L,Q)详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 4A，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 10V
功率_最大：600mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-TSSOP
包装：剪切带 (CT)

TPCS8209(TE12L,Q)详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 4A，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 10V
功率_最大：600mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-TSSOP
包装：Digi-Reel®

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