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TPCP8103-H(TE85LFM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：PS-8（2.9x2.8）; 包装：Digi-Reel®

TPCP8103-H(TE85LFM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：PS-8（2.9x2.8）; 包装：剪切带 (CT)

TPCP8103-H(TE85LFM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：PS-8（2.9x2.8）; 包装：带卷 (TR)

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