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» 型号"TPCM8002-H(TE12L,Q"的供应信息
TPCM8002-H(TE12L,Q 全国供应商、价格、PDF资料
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TPCM8002-H(TE12L,Q详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.2 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2846pF @ 10V
功率_最大:30W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerWDFN
供应商设备封装:2-4L1A
包装:Digi-Reel®
TPCM8002-H(TE12L,Q详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.2 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2846pF @ 10V
功率_最大:30W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerWDFN
供应商设备封装:2-4L1A
包装:带卷 (TR)
TPCM8002-H(TE12L,Q详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.2 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2846pF @ 10V
功率_最大:30W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerWDFN
供应商设备封装:2-4L1A
包装:剪切带 (CT)
TPCM8002-H(TE12L,Q供应商
TPCM8002-H(TE12L,Q)
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
TPCM8002-H(TE12L,Q)
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
查看更多TPCM8002-H(TE12L,Q的供应商
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