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TPCM8001-H(TE12L,Q详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 10V; 功率_最大：30W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：2-4L1A; 包装：Digi-Reel®

TPCM8001-H(TE12L,Q详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 10V; 功率_最大：30W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：2-4L1A; 包装：剪切带 (CT)

TPCM8001-H(TE12L,Q详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 10V; 功率_最大：30W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：2-4L1A; 包装：带卷 (TR)

US5683KSE-AAA-000-RE
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Melexis Technologies NV TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC HALL EFFECT SWITCH TSOT-3L
TNPW201012K0BETF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 12.0K OHM .40W 0.1% 2010
TNPW251236K0FEEY
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 36K OHM 1/2W 1% 2512
TPCM-3.3-10
共模扼流圈 Acme Electric/Amveco/Actown 垂直式，4 PC 引脚 CHOKE COMMON TOROIDAL 3.27MH 10A
UT026D103MAC2F
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 6.3V 20% 0402
US5781ESE-AAA-000-RE
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Melexis Technologies NV TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC HALL EFFECT SWITCH TSOT-23
TCJR476M006R0500
钽 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP TANT 47UF 6.3V 20% 0805
TNPW2512374KBEEY
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 374K OHM 1/2W 0.1% 2512
TNPW201012K4BETF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 12.4K OHM .40W 0.1% 2010
UT02YD103MAT2E
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 16V 20% X5R 0402
TCJT107M004R0150
钽 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP TANT 100UF 4V 20% 1210
US5881ESE-AAA-000-RE
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Melexis Technologies NV TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC HALL EFFECT SW TSOT-23
TNPW251238K3BETG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 38.3K OHM 1/2W 0.1% 2512
TNPW201012K7BETF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 12.7K OHM .40W 0.1% 2010
US5881EUA-AAA-000-BA
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Melexis Technologies NV IC HALL EFFECT SW UNIPO TO-92

TPCM8001-H(TE12L,Q 全国供应商、价格、PDF资料

TPCM8001-H(TE12L,Q详细规格

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TPCM-3.3-10

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TCJT107M004R0150

US5881ESE-AAA-000-RE

TNPW251238K3BETG

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