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» 型号"TPCF8B01(TE85L,F,M"的供应信息
TPCF8B01(TE85L,F,M 全国供应商、价格、PDF资料
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TPCF8B01(TE85L,F,M详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 1.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 10V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:VS-8(2.9x1.9)
包装:带卷 (TR)
TPCF8B01(TE85L,F,M详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH SBD 20V 2.7A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 1.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 10V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:VS-8(2.9x1.9)
包装:带卷 (TR)
TPCF8B01(TE85L,F,M详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 1.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 10V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:VS-8(2.9x1.9)
包装:Digi-Reel®
TPCF8B01(TE85L,F,M详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 1.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 10V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:VS-8(2.9x1.9)
包装:剪切带 (CT)
TPCF8B01(TE85L,F,M供应商
TPCF8B01(TE85L,F,M
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
查看更多TPCF8B01(TE85L,F,M的供应商
V24A48T300BG3
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UP1B-1R0-R
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TL432AIDBZR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
TC74VHC32FN(ELP)
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