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» 型号"TPCF8001(TE85L,F)"的供应信息
TPCF8001(TE85L,F) 全国供应商、价格、PDF资料
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TPCF8001(TE85L,F)详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 7A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1270pF @ 10V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:VS-8(2.9x1.9)
包装:Digi-Reel®
TPCF8001(TE85L,F)详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 7A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1270pF @ 10V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:VS-8(2.9x1.9)
包装:带卷 (TR)
TPCF8001(TE85L,F)详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 7A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1270pF @ 10V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:VS-8(2.9x1.9)
包装:剪切带 (CT)
TPCF8001(TE85L,F)供应商
TPCF8001(TE85L,F)
深圳青禾创新科技有限公司
0755-82778126
TPCF8001(TE85L,F)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
0755-23607529
查看更多TPCF8001(TE85L,F)的供应商
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