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TPC8035-H(TE12L,QM 全国供应商、价格、PDF资料

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TPC8035-H(TE12L,QM详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫欧 @ 9A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：82nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7800pF @ 10V
功率_最大：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）
包装：Digi-Reel®

TPC8035-H(TE12L,QM详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫欧 @ 9A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：82nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7800pF @ 10V
功率_最大：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）
包装：剪切带 (CT)

TPC8035-H(TE12L,QM详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫欧 @ 9A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：82nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7800pF @ 10V
功率_最大：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）
包装：带卷 (TR)

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