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TPC8018-H(TE12LQM)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：带卷 (TR)

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PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V 2A 20HTSSOP
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FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP