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TPC6101(TE85L,F)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH SNGL -20V -4.5A VS-6; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6; 供应商设备封装：VS-6（2.9x2.8）; 包装：剪切带 (CT)

TPC6101(TE85L,F)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH SGL -20V -4.5A VS-6; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6; 供应商设备封装：VS-6（2.9x2.8）; 包装：带卷 (TR)

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