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SUP18N15-95-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：95 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220-3; 包装：带卷 (TR)

SUP18N15-95-E3供应商

SRR1280-560Y
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 56UH 2.6A SMD
SUM90P10-19L-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK
TNPW080530R0BEEA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 30.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
SRR1280-680M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 68UH 2.4A SMD
TC7WH74FU(TE12L)
逻辑 - 触发器 Toshiba 8-TSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） IC FLIP-FLOP D-TYPE SM8-8
SWR25X-NREC-S02-RB-BA
矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions CONN HDR 2.54MM TIN 2POS R/A
TC1107-3.3VOA
PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO 3.3V .3A 8SOIC
SI7430DP-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
SRR1280-680M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 68UH 2.4A SMD
TC7WH74FU(TE12L,F)
逻辑 - 触发器 Toshiba 8-TSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） IC FLIP-FLOP D-TYPE SM8-8
SWR25X-NRTC-S02-RB-BA
矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions CONN HDR .100" SNGL PCB RA 2POS
SRR1280-681K
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 680UH 0.75A SMD
SI7439DP-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC
TC1108-3.3VDBTR
PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology TO-261-4，TO-261AA IC REG LDO 3.3V .3A SOT223-3
SRR1806-2R2M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 2.2UH SMD POWER

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