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SUM36N20-54P-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 20A，15V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：127nC @ 15V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V; 功率_最大：3.12W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：Digi-Reel®

SUM36N20-54P-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 20A，15V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：127nC @ 15V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V; 功率_最大：3.12W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：剪切带 (CT)

SUM36N20-54P-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 20A，15V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：127nC @ 15V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V; 功率_最大：3.12W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：带卷 (TR)

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SUM36N20-54P-E3 深圳市诺洋电子科技有限公司 0755-83223003
SUM36N20-54P-E3 北京元坤国际科技有限公司 010-62962871、
SUM36N20-54P-E3 北京显周科技有限公司 13910052844（微
SUM36N20-54P-E3 北京首天伟业科技有限公司 010-62962871、
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SUM36N20-54P-E3 深圳市金嘉锐电子有限公司 0755-22929859

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