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SUD50P04-13L-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3120pF @ 25V; 功率_最大：78W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：剪切带 (CT)

SUD50P04-13L-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3120pF @ 25V; 功率_最大：78W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUD50P04-13L-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3120pF @ 25V; 功率_最大：78W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：Digi-Reel®

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SUD50P04-08-GE3
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LED - 分立式 Rohm Semiconductor 1208（3020 公制） LED 605NM ORN TRANSPARENT 1208
MPC8347VVAJD
嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II PRO 672-TBGA
SMAJ28CAHE3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 28V 5% SMA
MP6-2W-1Q-1U-1U-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

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