STW54NM65ND 全国供应商、价格、PDF资料
STW54NM65ND详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
- 系列：FDmesh™ II
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 24.5A， 10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：188nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6200pF @ 50V
- 功率_最大：350W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 1GB 184-DIMM
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 11V 1500W BIDIR 5% SMC
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 38-TSSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC MCU 16BIT 8K FLASH 38-TSSOP
- 接口 - 编解码器 ST-Ericsson Inc 100-VFBGA IC CODEC STEREO W/AMP 112VFBGA
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB DIODE TVS 200V 600W BI 10% SMB
- PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC REG LDO 1.8V/2.8V/3.8V 8MSOP
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 1GB 200-SODIMM
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS BI-DIR 11V 1500W SMC
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 40-VFQFN 裸露焊盘 IC MCU 16BIT 8K FLASH 40-QFN
- 线槽，走线系统 - 附件 Panduit Corp 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） COVER RCWAY TC130 MD OWH10’
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AA，SMB TVS UNI-DIR 20V 600W SMB
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 1GB 184-DIMM
- FET - 单 STMicroelectronics TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS UNIDIRECT 1500W 120V SMC
0755-88291559 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
0755-83015506 
171-4729-9698 
0755-23613962 
13410941925 
755-83252273 
0755-83798683 
0755-23306107 
13510131896 
15026993318 / 
0755- 8251939 
