STU75N3LLH6 全国供应商、价格、PDF资料
STU75N3LLH6详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
- 系列:STripFET™ DeepGATE™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 毫欧 @ 37.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23.8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2030pF @ 10V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
STU75N3LLH6-S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
- 系列:STripFET™ DeepGATE™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 毫欧 @ 37.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1690pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TERM BARRIER 17CIRC SGL ROW .250
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) LED COMPACT REFL GRN 560NM 0805
- 共模扼流圈 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 INDUCTOR COMMON MODE 160 OHM 25%
- FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220
- 配件 Schurter Inc SCREW COVER CIRCUIT BRKR 2POLE
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206(3216 公制),阵列,8 PC 板 BEAD FERRITE ARRAY 240 OHM 1206
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TERM BARRIER 25CIRC SGL ROW .250
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.039UF 50V 5% RADIAL
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) LED COMPACT REFL RED 620NM 0805
- 配件 Schurter Inc SCREW COVER CIRCUIT BRKR 2POLE
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206(3216 公制),阵列,8 PC 板 BEAD FERRITE ARRAY 240 OHM 1206
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TERM BARRIER 13CIRC SGL ROW .250
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 1104(2710 公制) LED PICO RGB SIDE VIEW SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4700PF 50V 5% RADIAL
- FET - 单 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 500V 5A IPAK