STS01DTP06 全国供应商、价格、PDF资料

STS01DTP06详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 100mA，2A

电流_集电极截止（最大）：1µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：2W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SO

包装：带卷 (TR)

STS01DTP06详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 100mA，2A

电流_集电极截止（最大）：1µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：2W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SO

包装：Digi-Reel®

STS01DTP06详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 100mA，2A

电流_集电极截止（最大）：1µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：2W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SO

包装：剪切带 (CT)