STN749 全国供应商、价格、PDF资料

STN749详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 35V 3A HP SOT223

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：1.6W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：Digi-Reel®

STN749详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 35V 3A HP SOT223

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：1.6W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：带卷 (TR)

STN749详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 35V 3A HP SOT223

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：1.6W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：剪切带 (CT)