STN5PF02V详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 2.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 2.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:412pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
STN5PF02V详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 2.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 2.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:412pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
- 固定式 Bourns Inc. 2323(5858 公制) INDUCTOR POWER 47UH 0.82A SMD
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 47UF 6.3V 10% 2917
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics DO-214AA,SMB DIODE SCHOTTKY 25V 2A SMB
- 评估板 - 音频放大器 STMicroelectronics BOARD DEMONSTRATION TDA7492
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 432K OHM 1/4W 0.1% 1206
- FET - 单 STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 47UF 6.3V 10% 2917
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics DO-214AC,SMA DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMA
- 固定式 Bourns Inc. 2323(5858 公制) INDUCTOR POWER 47UH 0.82A SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 43.0K OHM 1/4W 0.1% 1206
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 6.8UF 25V 10% 2917
- 二极管,整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE SCHOTTKY 150V 15A D2PAK
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-223
- 评估演示板和套件 STMicroelectronics BOARD EVAL ST7FLITE39/STM1403