

STD16详细规格
- 类别:保险丝 - 电气,特制
- 描述:FUSE INDUST 16A 240V BS IEC
- 系列:STD
- 制造商:Cooper Bussmann
- 保险丝类型:慢速熔断,时滞型
- 电压_额定:240VAC
- 电流:16A
- 封装/外壳:圆柱形,扁平端子(螺栓)
- 大小/尺寸:0.476" 直径 x 1.850" L(12.10mm x 47.00mm)
- 安装类型:螺栓安装
- 颜色:-
- 工作温度:-
STD16N65M5详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:299 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1250pF @ 100V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
STD16N65M5详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:299 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1250pF @ 100V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
STD16N65M5详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:299 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1250pF @ 100V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
STD16NF06LT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
STD16NF06LT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 215 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 22UH 2.4A SMD
- 接线座 - 接头,插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 2POS 5MM
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC MPU RESET CIRC 4.38V SOT23
- 标记 TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MARKER SNAP-ON T 5.8-8.5MM WHITE
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 147 OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 21.0 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 390UH 500MA SMD
- 接线座 - 接头,插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 5POS 5MM
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 14.3K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 56UH 1.4A SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 220 OHM 1/4W 0.1% 1206
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC MPU RESET CIRC 2.63V SOT23
- 标记 TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MARKER SNAP-ON 1 8.5-11.5MM WHT
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 154 OHM 1/2W 0.1% 2512