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STB34NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 14.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2722pF @ 100V; 功率_最大：210W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：Digi-Reel®

STB34NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 14.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2722pF @ 100V; 功率_最大：210W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：剪切带 (CT)

STB34NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 14.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2722pF @ 100V; 功率_最大：210W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

STB34NM60ND详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：FDmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 14.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2785pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：Digi-Reel®

STB34NM60ND详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：FDmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 14.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2785pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

STB34NM60ND详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：FDmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 14.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2785pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：剪切带 (CT)

SMCJ110A-13
TVS - 二极管 Diodes/Zetex DO-214AB，SMC TVS UNI-DIR 110V 1500W SMC
SIZ910DT-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
STB30NF10T4
FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
SM2615FT12R7
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引线 RES 12.7 OHM 1W 1% WW 2615
SST25VF080B-80-4I-QAE
存储器 Microchip Technology 8-WDFN 裸露焊盘 IC FLASH SER 8MB 80MHZ SPI 8WSON
STF7N95K3
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
ST72F561AR4TAE
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 64-LQFP IC MCU 8BIT 16K FLASH 64-LQFP
STM6822SWY6F
PMIC - 监控器 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 IC SUPERVISOR PB 2.93V SOT23-5
SMCJ110A-13
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS UNI-DIR 110V 1500W SMC
STF817A
晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-243AA IC TRANS PWR PNP BIPO 30V SOT89
SST25VF080B-80-4I-QAE-T
存储器 Microchip Technology 8-WDFN 裸露焊盘 IC FLASH SER 8MB 50MHZ SPI 8WSON
SM2615FT137R
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引线 RES 137 OHM 1W 1% WW 2615
ST72F561J9TAE
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 60K FLASH 44-TQFP
STM6822YWY6F
PMIC - 监控器 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 IC SUPERVISOR PB/OPEN DR SOT23-5
SIZ918DT-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-PowerPair? MOSFET N-CH 30V 16A 28A 6X5

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