STB30NM60N 全国供应商、价格、PDF资料
STB30NM60N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:91nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 50V
- 功率_最大:190W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
STB30NM60N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:91nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 50V
- 功率_最大:190W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB30NM60N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:91nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 50V
- 功率_最大:190W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB30NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 50V
- 功率_最大:190W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
STB30NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 50V
- 功率_最大:190W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB30NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 50V
- 功率_最大:190W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 钽 Vishay Sprague 1411(3528 公制) CAP TANT 1UF 25V 10% 1411
- 触摸 E-Switch SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210(3225 公制) CAP CER 10UF 25V 10% X7R 1210
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- 配件 Vector Electronics 轴向圆柱形,3引线(径向弯曲) TERMINAL MINIWRAP 1000PCS/PKG
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 51PF 500V 5% 1111
- 显示器模块 - LCD,OLED,图形 Kyocera Display America, Inc. 2917(7343 公制) LCD 8.4" TFT 1024X768 XGA
- 钽 Vishay Sprague 1411(3528 公制) CAP TANT 1UF 25V 10% 1411
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210(3225 公制) CAP CER 10UF 25V 20% X7R 1210
- 配件 Vector Electronics 轴向圆柱形,3引线(径向弯曲) TERMINAL WW MINIWRAP .042" GOLD
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 56PF 500V 1% 1111
- 显示器模块 - LCD,OLED,图形 Kyocera Display America, Inc. 2917(7343 公制) LCD TFT 6.5" VGA 640X480 CCFL
- 钽 Vishay Sprague 1411(3528 公制) CAP TANT 15UF 10V 10% 1411
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210(3225 公制) CAP CER 10UF 25V 20% X7R 1210
- 触摸 E-Switch SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V