STB25NM60N 全国供应商、价格、PDF资料
STB25NM60N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:84nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 50V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB25NM60N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:84nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 50V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB25NM60N-1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:84nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 50V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
STB25NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 50V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB25NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 50V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
STB25NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 50V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 逻辑 -计数器,除法器 Micrel Inc 28-LCC(J 形引线) IC COUNTER RIPPLE 8BIT 28-PLCC
- FET - 阵列 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH POWERFLAT
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 220UF 10V 20% 2917
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div ZS-H SENSOR EXTENSION CABLE
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 15PF 1.5KV 5% NP0 1206
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
- 逻辑 - 移位寄存器 Micrel Inc 28-LCC(J 形引线) IC REGISTER HOLD 9BIT 28PLCC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W
- 钽 Kemet CAP TANT 33UF 35V 20% SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div ZS-H SENSOR EXTENSION CABLE
- 陶瓷 Vishay BC Components 1206(3216 公制) CAP CER 15PF 50V 5% NP0 1206
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W