STB130NS04ZB 全国供应商、价格、PDF资料
STB130NS04ZBT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
- 系列:MESH OVERLAY™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:33V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 40A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式 Microchip Technology 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG DL BUCK/LINEAR SYNC 10DFN
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-RDIMM MOD DDR3 SDRAM 4GB 240RDIMM VLP
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AB,SMC DIODE TVS 110V 1500W UNI 5% SMD
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MCU 16BIT 4K FLASH 20-SOIC
- FET - 单 STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式 Microchip Technology 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 10MSOP
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 5% RADIAL
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-UDIMM MODULE DDR3 SDRAM 2GB 240UDIMM
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MCU 16BIT 4K FLASH 20-SOIC
- FET - 单 STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 24A TO-247
- PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式 Microchip Technology 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG DL BUCK/LINEAR SYNC 10DFN
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-UDIMM MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240UDIMM
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB,SMC DIODE TVS 110V 1500W UNI 5% SMC