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SSM6N7002FU(TE85LF)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CHANNEL 60V US6; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：17pF @ 25V; 功率_最大：300mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：US6; 包装：带卷 (TR)

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逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC QUAD 2-IN EX-OR GATE 14-SOIC
NCP3337MN500R2G
PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 5V .5A DFN10
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逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC QUAD 2IN EXCL-OR GATE 14TSSOP
SN74BCT543DWG4
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC REGISTERED TRANSCVR 24SOIC
T491D336K016AT
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 33UF 16V 10% 2917
SSM6P41FE(TE85L,F)
FET - 阵列 Toshiba SOT-563，SOT-666 MOSFET DUAL P-CH 20V .72A ES6

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