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SSM6N35FE(TE85L,F) 全国供应商、价格、PDF资料

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SSM6N35FE(TE85L,F)详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 50mA，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：9.5pF @ 3V
功率_最大：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）
包装：带卷 (TR)

SSM6N35FE(TE85L,F)详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 50mA，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：9.5pF @ 3V
功率_最大：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）
包装：Digi-Reel®

SSM6N35FE(TE85L,F)详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 50mA，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：9.5pF @ 3V
功率_最大：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）
包装：剪切带 (CT)

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