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SSM6J207FE(TE85L,F 全国供应商、价格、PDF资料

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SSM6J207FE(TE85L,F详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH SGL 30V 1.4A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：251 毫欧 @ 650mA，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：137pF @ 15V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）
包装：剪切带 (CT)

SSM6J207FE(TE85L,F详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH SGL 30V 1.4A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：251 毫欧 @ 650mA，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：137pF @ 15V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）
包装：带卷 (TR)

SSM6J207FE(TE85L,F详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH SGL 30V 1.4A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：251 毫欧 @ 650mA，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：137pF @ 15V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）
包装：Digi-Reel®

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