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SSM3J115TU(TE85L) 全国供应商、价格、PDF资料

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SSM3J115TU(TE85L)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A UFM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：98 毫欧 @ 1A，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：568pF @ 10V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）
包装：Digi-Reel®

SSM3J115TU(TE85L)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A UFM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：98 毫欧 @ 1A，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：568pF @ 10V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）
包装：带卷 (TR)

SSM3J115TU(TE85L)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A UFM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：98 毫欧 @ 1A，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：568pF @ 10V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）
包装：剪切带 (CT)

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