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SSM3J114TU(T5L,T) 全国供应商、价格、PDF资料

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SSM3J114TU(T5L,T)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：149 毫欧 @ 600mA，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 4V
输入电容333Ciss4440a0Vds：331pF @ 10V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）
包装：剪切带 (CT)

SSM3J114TU(T5L,T)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：149 毫欧 @ 600mA，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 4V
输入电容333Ciss4440a0Vds：331pF @ 10V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）
包装：带卷 (TR)

SSM3J114TU(T5L,T)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：149 毫欧 @ 600mA，4V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 4V
输入电容333Ciss4440a0Vds：331pF @ 10V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）
包装：Digi-Reel®

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