SSM2212RZ-R7 全国供应商、价格、PDF资料

SSM2212RZ-R7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS AUDIO DUAL NPN 8SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：2 NPN（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：20mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：500pA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC

包装：Digi-Reel®

SSM2212RZ-R7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS AUDIO DUAL NPN 8SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：2 NPN（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：20mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：500pA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC

包装：剪切带 (CT)

SSM2212RZ-R7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS AUDIO DUAL NPN 8SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：2 NPN（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：20mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：500pA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC

包装：带卷 (TR)