SPP10N10详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫欧 @ 7.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:426pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:PG-TO220-3
- 包装:管件
SPP10N10L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:154 毫欧 @ 8.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:444pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:PG-TO220-3
- 包装:管件
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST 16BIT 48SSOP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 4.75K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 振荡器 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR 18.0000MHZ SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 2.21K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 61.9 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 Honeywell Sensing and Control 丸状 PHOTODARLINGTON PILL PACK
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽) IC BUS TRANSCVR 16BIT 48SSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 232 OHM 1/16W .25% SMD 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 681 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 振荡器 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR 19.660MHZ SMD
- DC DC Converters Power-One DC/DC EIGHTH BRICK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 4.70K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 逻辑 - 锁销 Texas Instruments 54-TFBGA IC 16BIT TRANSP D-LATCH 54-BGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 25.5 OHM 1/16W .25% SMD 0402