SPD11N10详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫欧 @ 7.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:P-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 20.0K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR LO PROFILE 15UH 0.45A
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 8-DIP(0.300",7.62mm) IC DIFF LINE TXRX3ST 8-DIP
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD,J 形引线 EMITTER IR 950NM HI-SPEED SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 220PF 200V 5% 1111
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 107 OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 68UH SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 20 OHM 1/8W .5% 0805 SMD
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD,Boomerang EMITTER IR 950NM HISPEED R/A SMD
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 16-DIP(0.300",7.62mm) IC DIFF LINE TXRX TRI-ST 16-DIP
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 220PF 200V 5% 1111
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 115K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB RCPT 9POS T/H GOLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 21.5K OHM 1/8W .5% SMD 0805