SPB80N06S2-05 全国供应商、价格、PDF资料
SPB80N06S2-05详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.8 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:170nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6790pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 40V SMPC
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 20V 20% 1411
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 逻辑 - 锁销 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC 3.3V OCT TRANSP LATCH 20-SOIC
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 22UF 25V 20% 2917
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control 3-SIP SENSOR SS HALL EFFECT RATIOMETRC
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向 - 2 引线 PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM 870NM
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 20V 20% 1411
- 逻辑 - 专用逻辑 Texas Instruments 64-LFBGA IC LINK ADDRSS SCAN-PORT 64-BGA
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 22UF 35V 20% 2917
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control 3-SIP SENSOR SS HALL EFFECT LINEAR
- 钽 Kemet CAP TANT 10UF 25V 20% SMD
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 45V SMPC
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向 - 2 引线 PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM 870NM