SPB1详细规格
- 类别：箱 - 元件
- 描述：PANEL SWING KIT
- 系列：SPB
- 制造商：Hammond Manufacturing
- 类型：面板套件
- 特性：铰链式
- 配套使用产品/相关产品：1414、EJ、C3R-HCLO 系列
- 大小/尺寸：-
- 颜色：-
- 材料：-
SPB10045E3详细规格
- 类别：二极管，整流器
- 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT-227
- 系列：-
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：570mV @ 100A
- 电流_在Vr时反向漏电：5mA @ 45V
- 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：100A
- 电压_333Vr444（最大）：45V
- 反向恢复时间333trr444：-
- 二极管类型：肖特基
- 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）
- 二极管配置：2 个独立式
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：SOT-227
- 包装：管件
SPB100N03S2-03详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
SPB100N03S2-03 G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
SPB100N03S203T详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：剪切带 (CT)
SPB100N03S203T详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 68PF 150V 5% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 27PF 200V 5% RADIAL
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC QUAD 2IN POS-NAND BUFF 14SOIC
- 红外发射器，UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向 EMITTER IR 950NM SMR RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 732K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB RCPT 37POS SLD CUP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 49.9K OHM 1/10W 1% SMD 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 68PF 150V 5% 0605
- 红外发射器，UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向，5mm 直径（T 1 3/4） LED IR EMITTER 950NM
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC GATE NAND QUAD 2-INPUT 14SOIC
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB PLUG 15POS SLD CUP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 4.32K OHM 1/10W 1% SMD 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 68PF 150V 5% 0605
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 750 OHM 1/8W .5% SMD 0805
0755-82575207 
13410941925 
0755-82533156 
13528893675 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82578309 
15914072177 
15899765957 1 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-83268779 
0755-82574045 
075584505750 
