SP8M51TB1 全国供应商、价格、PDF资料

SP8M51TB1详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：100V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A，2.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOP

包装：Digi-Reel®

SP8M51TB1详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：100V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A，2.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOP

包装：带卷 (TR)

SP8M51TB1详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：100V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A，2.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOP

包装：剪切带 (CT)