SN74LVCZ244AN 全国供应商、价格、PDF资料
SN74LVCZ244AN详细规格
- 类别:逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 描述:IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20DIP
- 系列:74LVCZ
- 制造商:Texas Instruments
- 逻辑类型:缓冲器/线路驱动器,非反相
- 元件数:2
- 每元件位数:4
- 电流_输出高qqq低:24mA,24mA
- 电压_电源:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:20-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:20-PDIP
- 包装:管件
SN74LVCZ244ANE4详细规格
- 类别:逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 描述:IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20DIP
- 系列:74LVCZ
- 制造商:Texas Instruments
- 逻辑类型:缓冲器/线路驱动器,非反相
- 元件数:2
- 每元件位数:4
- 电流_输出高qqq低:24mA,24mA
- 电压_电源:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:20-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:20-PDIP
- 包装:管件
SN74LVCZ244ANSR详细规格
- 类别:逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 描述:IC BUFF/DVR 3ST OCTAL 20SOP
- 系列:74LVCZ
- 制造商:Texas Instruments
- 逻辑类型:缓冲器/线路驱动器,非反相
- 元件数:2
- 每元件位数:4
- 电流_输出高qqq低:24mA,24mA
- 电压_电源:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
- 供应商器件封装:20-SO
- 包装:剪切带 (CT)
SN74LVCZ244ANSR详细规格
- 类别:逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 描述:IC BUFF/DVR 3ST OCTAL 20SOP
- 系列:74LVCZ
- 制造商:Texas Instruments
- 逻辑类型:缓冲器/线路驱动器,非反相
- 元件数:2
- 每元件位数:4
- 电流_输出高qqq低:24mA,24mA
- 电压_电源:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
- 供应商器件封装:20-SO
- 包装:Digi-Reel®
SN74LVCZ244ANSR详细规格
- 类别:逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 描述:IC BUFF/DVR 3ST OCTAL 20SOP
- 系列:74LVCZ
- 制造商:Texas Instruments
- 逻辑类型:缓冲器/线路驱动器,非反相
- 元件数:2
- 每元件位数:4
- 电流_输出高qqq低:24mA,24mA
- 电压_电源:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
- 供应商器件封装:20-SO
- 包装:带卷 (TR)
SN74LVCZ244ANSRE4详细规格
- 类别:逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 描述:IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20SOP
- 系列:74LVCZ
- 制造商:Texas Instruments
- 逻辑类型:缓冲器/线路驱动器,非反相
- 元件数:2
- 每元件位数:4
- 电流_输出高qqq低:24mA,24mA
- 电压_电源:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
- 供应商器件封装:20-SO
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 1UF 660VAC QC TERM
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 100UF 6.3V 20% 1411
- 钽 Kemet 1206(3216 公制) CAP TANT 2.2UF 16V 10% 1206
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 10UF 370VAC QC TERM
- FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20SOIC
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 2UF 660VAC QC TERM
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 100UF 6.3V 20% 1411
- FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
- 钽 Kemet 1206(3216 公制) CAP TANT 22UF 6.3V 10% 1206
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 15UF 370VAC QC TERM
- FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20SOP
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 15UF 16V 10% 1411