SK3R3M350ST 全国供应商、价格、PDF资料
SK3R3M350ST详细规格
- 类别：电容器
- 描述：CAP ALUM 3.3UF 350V 20% RADIAL
- 系列：SK
- 制造商：Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 电容：3.3µF
- 额定电压：350V
- 容差：±20%
- 寿命0a0温度：85°C 时为 2000 小时
- 工作温度：-25°C ~ 85°C
- 特点：通用
- 纹波电流：35mA
- ESR（等效串联电阻）：80.42 欧姆
- 阻抗：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：径向，Can
- 尺寸/尺寸：0.394" 直径（10.00mm）
- 高度_座高（最大）：0.512"（13.00mm）
- 引线间隔：0.197"（5.00mm）
- 表面贴装占地面积：-
- 包装：散装
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 300W 110V 10% SMA
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC RECT SCHOTTKY 3A 80V DO-214AB
- DC DC Converters Power-One DC/DC SIXTEENTH BRICK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 330K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 11V 5% SMA
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC
- DC DC Converters Power-One 8-DIP 模块，1/16 砖 CONVERTER DC-DC 3.3V 20A
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 330 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8
010-62104931、 
13910052844（微 
