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SIZ900DT-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 N 沟道（双）非对称型; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A, 28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 mOhm @ 19.4A, 10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1830pF @ 15V; 功率_最大：4.6W, 5.2W; 安装类型：*; 封装/外壳：*; 供应商设备封装：*; 包装：*

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