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SIZ790DT-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V DS PWRPAIR 6X3.7; 系列：*; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 N 沟道（双）非对称型; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A，35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：*; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 15V; 功率_最大：27W，48W; 安装类型：*; 封装/外壳：*; 供应商设备封装：*; 包装：*

SIZ790DT-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V DS PWRPAIR 6X3.7; 系列：*; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 N 沟道（双）非对称型; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A，35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：*; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 15V; 功率_最大：27W，48W; 安装类型：*; 封装/外壳：*; 供应商设备封装：*; 包装：*

SIZ790DT-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V DS PWRPAIR 6X3.7; 系列：*; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 N 沟道（双）非对称型; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A，35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：*; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 15V; 功率_最大：27W，48W; 安装类型：*; 封装/外壳：*; 供应商设备封装：*; 包装：*

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