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» 型号"SIS468DN-T1-GE3"的供应信息
SIS468DN-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料
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SIS468DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:80V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19.5 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 40V
功率_最大:52W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:Digi-Reel®
SIS468DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:80V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19.5 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 40V
功率_最大:52W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:带卷 (TR)
SIS468DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:80V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19.5 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 40V
功率_最大:52W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:剪切带 (CT)
SIS468DN-T1-GE3供应商
SIS468DN-T1-GE3
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
SiS468DN-T1-GE3
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
SIS468DN-T1-GE3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SIS468DN-T1-GE3
深圳市品惠科技有限公司
0755-23996734
SIS468DN-T1-GE3
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
SIS468DN-T1-GE3
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
SiS468DN-T1-GE3
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
SIS468DN-T1-GE3
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
SIS468DN-T1-GE3
深圳诚思涵科技有限公司
0755-83015506
SIS468DN-T1-GE3
深圳市科雨电子有限公司
171-4729-9698
SIS468DN-T1-GE3
深圳市世品佳电子有限公司
0755-/8321846
SIS468DN-T1-GE3
深圳市美思瑞电子科技有限公司
0755-83951431
SIS468DN-T1-GE3
深圳市海虹微电子有限公司
0755-83291010
SIS468DN-T1-GE3
深圳市金亿泰电子有限公司
755-83252273
SIS468DN-T1-GE3
深圳市鸿鑫格电子科技有限公司
18674491576
SIS468DN-T1-GE3
深圳市易信优科技有限公司
0755-23914006
查看更多SIS468DN-T1-GE3的供应商
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