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SIS424DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫欧 @ 19.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：39W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

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陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.015UF 500V 5% X7R 1206
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