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SIS412DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：15.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

SIS412DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：15.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

SIS412DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：15.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

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