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» 型号"SIS410DN-T1-GE3"的供应信息
SIS410DN-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料
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SIS410DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.8 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:52W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:剪切带 (CT)
SIS410DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.8 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:52W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:带卷 (TR)
SIS410DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.8 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:52W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:Digi-Reel®
SIS410DN-T1-GE3供应商
SIS410DN-T1-GE3
深圳市科雨电子有限公司
171-4729-9698
SIS410DN-T1-GE3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SiS410DN-T1-GE3
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
SIS410DN-T1-GE3
深圳市俊晖半导体有限公司
13410941925
SIS410DN-T1-GE3
深圳市豪迈兴电子有限公司
0755-28227524
SIS410DN-T1-GE3
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
SIS410DN-T1-GE3
深圳市科格尔电子有限公司
0755-82798529
SIS410DN-T1-GE3
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
SIS410DN-T1-GE3
上海金庆电子科技京城市场部
021-51872165/
SIS410DN-T1-GE3
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
SIS410DN-T1-GE3
深圳诚思涵科技有限公司
0755-83015506
SIS410DN-T1-GE3
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23140719
SIS410DN-T1-GE3
深圳市裕硕科技有限公司
0755-23613962
SIS410DN-T1-GE3
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
SiS410DN-T1-GE3
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82865294
SIS410DN-T1-GE3
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
查看更多SIS410DN-T1-GE3的供应商
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