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» 型号"SIS406DN-T1-GE3"的供应信息
SIS406DN-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料
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SIS406DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 15V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:剪切带 (CT)
SIS406DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 15V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:带卷 (TR)
SIS406DN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 15V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:Digi-Reel®
SIS406DN-T1-GE3供应商
SIS406DN-T1-GE3
深圳市裕坤生电子科技有限公司
13410665908
SIS406DN-T1-GE3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SIS406DN-T1-GE3
深圳市珩瑞科技有限公司
0755-82578309
SIS406DN-T1-GE3
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23140719
SIS406DN-T1-GE3
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
SIS406DN-T1-GE3
上海鑫丰电子技术有限公司
021-51875986/
SIS406DN-T1-GE3
深圳市品优时代科技有限公司
0755-23612326
SIS406DN-T1-GE3
深圳市裕坤生电子科技有限公司
13410665908
SIS406DN-T1-GE3
深圳市恒佳微电子有限公司
0755-82710336
SIS406DN-T1-GE3
深圳市俊晖半导体有限公司
13410941925
SIS406DN-T1-GE3
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
SIS406DN-T1-GE3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SIS406DN-T1-GE3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SIS406DN-T1-GE3
深圳市鑫远鹏科技有限公司
15112667855
SIS406DN-T1-GE3
深圳市欧立现代科技有限公司
0755-83222787
SIS406DN-T1-GE3
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
查看更多SIS406DN-T1-GE3的供应商
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