SIR422DP-T1-GE3的供应信息|PDF资料|求购SIR422DP-T1-GE3上51电子网

SIR422DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.6 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1785pF @ 20V; 功率_最大：34.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SIR422DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.6 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1785pF @ 20V; 功率_最大：34.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SIR422DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.6 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1785pF @ 20V; 功率_最大：34.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 66POS BOX MNT W/PINS
MS3106E20-7PW
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 8 POS STRAIGHT W/PINS
MS3102E24-11S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 9 POS BOX MNT W/SCKT
MS27499E10B99S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/SCKT
SR212A3R3DARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3.3PF 200V RADIAL
MS3100F18-1SF187
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10 POS WALL MNT W/SCKT