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SIHB24N65E-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

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SIHB24N65E-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：145 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：122nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2740pF @ 100V; 功率_最大：250W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：管件

SIHB24N65E-GE3供应商

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SIHB24N65E-GE3 深圳市芯泽盛世科技有限公司 0755-89697985
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SIHB24N65E-GE3 深圳市诺洋电子科技有限公司 0755-83223003
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SIHB24N65E-GE3 北京显周科技有限公司 13910052844（微

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